{"id":60042,"date":"2024-09-07T18:45:38","date_gmt":"2024-09-07T23:45:38","guid":{"rendered":"https:\/\/einsteresante.com\/?p=60042"},"modified":"2024-09-07T18:45:39","modified_gmt":"2024-09-07T23:45:39","slug":"nuevo-transistor-superduro-podria-revolucionar-la-electronica","status":"publish","type":"post","link":"https:\/\/einsteresante.com\/index.php\/2024\/09\/07\/nuevo-transistor-superduro-podria-revolucionar-la-electronica\/","title":{"rendered":"Nuevo transistor superduro podr\u00eda revolucionar la electr\u00f3nica"},"content":{"rendered":"\n<p class=\"wp-block-paragraph\">Un nuevo dispositivo de transistores ha demostrado niveles excepcionales de resistencia en las pruebas, y ha funcionado tan bien que promete transformar los aparatos electr\u00f3nicos y los dispositivos que utilizamos a diario. Estos diminutos interruptores son esenciales en casi todos los dispositivos electr\u00f3nicos modernos, ya que se utilizan para almacenar datos y procesar informaci\u00f3n en un estado binario de &#8220;encendido&#8221; o &#8220;apagado&#8221;, que cambia de un estado a otro varias veces por segundo.<\/p>\n\n\n\n<p class=\"wp-block-paragraph\">Gracias a su notable combinaci\u00f3n de velocidad, tama\u00f1o y resistencia al desgaste, este \u00faltimo dise\u00f1o representa potencialmente una gran mejora para los dispositivos de consumo, como los tel\u00e9fonos y los ordenadores port\u00e1tiles, as\u00ed como para los centros de datos que almacenan toda nuestra informaci\u00f3n en la nube. Nuestras m\u00e1quinas y sistemas podr\u00edan volverse significativamente m\u00e1s r\u00e1pidos y eficientes, as\u00ed como m\u00e1s robustos, seg\u00fan el equipo internacional de investigadores que est\u00e1 detr\u00e1s del nuevo estudio, si la tecnolog\u00eda se puede ampliar a niveles pr\u00e1cticos.<\/p>\n\n\n\n<script async src=\"https:\/\/pagead2.googlesyndication.com\/pagead\/js\/adsbygoogle.js?client=ca-pub-5563120389565444\"\n     crossorigin=\"anonymous\"><\/script>\n<ins class=\"adsbygoogle\"\n     style=\"display:block; text-align:center;\"\n     data-ad-layout=\"in-article\"\n     data-ad-format=\"fluid\"\n     data-ad-client=\"ca-pub-5563120389565444\"\n     data-ad-slot=\"2892015629\"><\/ins>\n<script>\n     (adsbygoogle = window.adsbygoogle || []).push({});\n<\/script>\n\n\n\n<p class=\"wp-block-paragraph\">&#8220;En mi laboratorio, nos dedicamos principalmente a la f\u00edsica fundamental&#8221;, dice el f\u00edsico Pablo Jarillo-Herrero del Instituto Tecnol\u00f3gico de Massachusetts (MIT).<\/p>\n\n\n\n<p class=\"wp-block-paragraph\">&#8220;Este es uno de los primeros ejemplos, y quiz\u00e1s el m\u00e1s dram\u00e1tico, de c\u00f3mo la ciencia b\u00e1sica ha llevado a algo que podr\u00eda tener un gran impacto en las aplicaciones&#8221;.<\/p>\n\n\n\n<figure class=\"wp-block-image size-full\"><img decoding=\"async\" src=\"https:\/\/einsteresante.com\/wp-content\/uploads\/2024\/09\/image-14.png\" alt=\"\" class=\"wp-image-60048\"\/><figcaption class=\"wp-element-caption\">Esquema que muestra la estructura cristalina del nitruro de boro a medida que se desliza. Laboratorios Ashoori y Jarillo-Herrero.<\/figcaption><\/figure>\n\n\n\n<p class=\"wp-block-paragraph\">El transistor est\u00e1 hecho de un material ferroel\u00e9ctrico ultrafino de reciente invenci\u00f3n (con cargas positivas y negativas en diferentes niveles) basado en nitruro de boro. Se utilizan dos capas del material, que se desplazan ligeramente cuando se aplica electricidad, modificando la configuraci\u00f3n de los \u00e1tomos de boro y nitr\u00f3geno.<\/p>\n\n\n\n<p class=\"wp-block-paragraph\">Este dise\u00f1o hace que los transistores sean incre\u00edblemente r\u00e1pidos e incre\u00edblemente delgados, dos propiedades que pueden marcar una gran diferencia a la hora de hacer que los dispositivos electr\u00f3nicos sean m\u00e1s compactos y eficientes. Piense en poder incluir m\u00e1s capacidad de almacenamiento y procesamiento en dispositivos mucho m\u00e1s peque\u00f1os que consumen mucha menos energ\u00eda.<\/p>\n\n\n\n<p class=\"wp-block-paragraph\">Adem\u00e1s, el ligero desplazamiento de las capas tambi\u00e9n cambia las propiedades del material, por lo que el desgaste es m\u00ednimo. El transistor es capaz de encenderse y apagarse al menos 100 mil millones de veces sin signos de desgaste, lo que significa que es mucho m\u00e1s duradero que los dispositivos de almacenamiento de memoria flash que se utilizan actualmente.<\/p>\n\n\n\n<p class=\"wp-block-paragraph\">&#8220;Cada vez que se escribe y borra una memoria flash, se produce cierta degradaci\u00f3n&#8221;, afirma el f\u00edsico Raymond Ashoori, del MIT.<\/p>\n\n\n\n<p class=\"wp-block-paragraph\">&#8220;Con el tiempo, se desgasta, lo que significa que hay que utilizar m\u00e9todos muy sofisticados para distribuir d\u00f3nde se lee y se escribe en el chip&#8221;.<\/p>\n\n\n\n<p class=\"wp-block-paragraph\">Los investigadores que est\u00e1n detr\u00e1s de la invenci\u00f3n admiten que queda mucho camino por recorrer antes de que estos transistores puedan utilizarse en dispositivos reales. Crear un dispositivo en un laboratorio es un buen comienzo, pero se necesitan miles y miles de millones de transistores para la electr\u00f3nica actual.<\/p>\n\n\n\n<p class=\"wp-block-paragraph\">Sin embargo, el equipo est\u00e1 entusiasmado con el futuro que puede alcanzar este dispositivo. Tambi\u00e9n podr\u00eda resultar \u00fatil para explorar otros campos de la f\u00edsica, como el uso de la luz en lugar de la electricidad para desencadenar el cambio de capas. Lo que est\u00e1 claro es que nuestra dependencia actual de la tecnolog\u00eda y los dispositivos digitales significa que cualquier innovaci\u00f3n en este campo podr\u00eda tener consecuencias y beneficios de gran alcance que afectar\u00edan a la mayor\u00eda de las personas del planeta.<\/p>\n\n\n\n<p class=\"wp-block-paragraph\">&#8220;Cuando pienso en toda mi carrera en f\u00edsica, creo que este es el trabajo que, dentro de 10 o 20 a\u00f1os, podr\u00eda cambiar el mundo&#8221;, afirma Ashoori.<\/p>\n\n\n\n<p class=\"wp-block-paragraph\">La investigaci\u00f3n se ha publicado en <a href=\"https:\/\/www.science.org\/doi\/10.1126\/science.adp3575\">Science<\/a>.<\/p>\n\n\n\n<p class=\"wp-block-paragraph\">Fuente: <a href=\"https:\/\/www.sciencealert.com\/radical-new-super-tough-transistor-could-revolutionize-electronics\">Science Alert<\/a>.<\/p>\n","protected":false},"excerpt":{"rendered":"<p>Un nuevo dispositivo de transistores ha demostrado niveles excepcionales de resistencia en las pruebas, y ha funcionado tan bien que promete transformar los aparatos electr\u00f3nicos y los dispositivos que utilizamos a diario. 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